PVD
물리적인 힘에 의해 대상 물질을 기판에 증착하는 방법이다.
장점
공정 메커니즘이 단순하며, 안정적인 공정 구현이 가능하다.
증착물질에 가열하기는 하지만 웨이퍼는 상대적으로 저온이어서 저온공정이 가능하다.
매우 빠른 증착이 가능하다.
단점
박막의 치밀성이나 접합성이 떨어진다.
Step Coverage가 좋지않다.
미세 두께의 박막 제어가 어렵다.
단일층으로 재료를 보호하기에 성능이 떨어진다.
투습특성이 부족한 경향을 보인다.
2023.03.26 - [취업/반도체 이론 정리] - 물리적 기상증착법 (PVD) (박막공정)
물리적 기상증착법 (PVD) (박막공정)
물리적 기상증착법 PVD (Physical Vapor Deposition) 물리적 기상증착법 PVD는 증착하고자 하는 재료를 진공 챔버 내부에서 증발 또는 스퍼터링을 시켜 기판 위에 증착하는 공정 방법이다. PVD 방법은 소스
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CVD
반응기체의 화학적 반응에 의해 기판에 증착하는 방법이다.
장점
좋은 피복성을 가지고 있다.
우수한 투습방지 효과를 가지고 있다.
다양한 물질 증착이 가능하다.
좋은 Step Coverage를 보인다.
빠른 증착 공정이 가능하다.
단점
상대적인 고온공정으로 웨이퍼에 손상을 줄 수 있다.
공정 중 발생하는 파티클 문제로 인해 신뢰성이 떨어질 수 있다.
공정 메커니즘과 장비가 복잡하다.
열팽창계수로 Crack 발생 위험이 있다.
유해 화학물질 발생으로 중성화 작업이 필요해 공정 단가가 높다.
2023.03.26 - [취업/반도체 이론 정리] - 화학적 기상증착법 (CVD) (박막공정)
화학적 기상증착법 (CVD) (박막공정)
화학적 기상증착법 CVD (Chemical Vapor Deposition) 화학적 기상증착법 CVD는 형성하고자 하는 박막 재료를 구성하는 원소 가스를 기판 위에 공급해 기상 또는 기판 표면에서 열분해, 광분해, 산화환원반
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