박막공정(Deposition)
- 실리콘 웨이퍼 기판 위에 얇은 박막(Thin film)을 성장시키는 공정이다. 다양한 재료를 증착하여 반도체의 전기적, 광학적, 기계적, 화학적 특성을 개선할 수 있다.
- 증착 방법에는 화학기상증착(CVD), 물리기상증착(PVD), 스핀 온 증착(Spin-on deposition), 도금(Electroplating) 등이 있다.
* 박막 : 단순한 기계 가공으로는 실현이 불가능한 1 ㎛ 이하의 얇은 막
박막 공정 방법
- 물리기상증착(PVD, Physical Vapor Deposition) : 주로 금속 증착에 적용된다. 대표적으로 Sputtering, Evaporation 등의 증착 방법이 있다.
- 화학기상증착(CVD, Chemical Vapor Deposition) : 주로 실리콘이나 유전체 증착에 적용된다. Step Coverage가 PVD보다 좋은 장점이 있다.
- Spin-on deposition(SOG, Spin-on-Glass) : 액체형 소스를 코팅할 때 적용한다.
- 도금(Electroplating) : 구리 배선 등에 증착한다.
박막공정 평가 기준
Quality(품질) : 전기적, 물리적 특성의 전반적인 막 품질
Uniformity(균일도) : 증착 된 Film의 두께 균일도
Surface Smoothness : 표면 거칠기
Step Coverage(Conformality) : 단차에서의 일정한 두께를 유지하는지의 여부. Step Coverage를 우수하게 하려면 고진공에서 공정이 진행되어야 한다. 그 이유는 고진고일수록 증착 소스가 웨이퍼에 도달하는 데 걸리는 Mean free path가 길어져 증착의 균일성이 더 높아지기 때문이다.
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