반응형 취업/반도체 이론 정리57 반도체 종류 반도체는 주로 정보를 저장하는 메모리반도체와 정보 저장 없이 연산이나 제어 기능을 담당하는 비메모리 반도체(논리 회로 소자)로 구분됩니다. 이러한 반도체는 용도, 기술, 집적도, 공정 등의 다양한 요소에 따라 분류됩니다. 국가에 따라도 이러한 분류가 다를 수 있습니다. 반도체 구분표 구분 분류 설명 비메모리 시스템IC 마이크로컴포넌트 컴퓨터를 제어하기 위한 핵심부품. Micro Processor Unit, Micro Controller Unit, Digital Signal Processor 등이 있음. Logic(ASIC) 사용자 요구로 설계된 특화된 회로 반도체. 주문형 IC로서 다품종 소량생산 즉, 파운드리 생산에 적합한 반도체. Analog IC 제반 신호의 표현 처리를 연속적인 신호변환으로 인식하.. 2024. 2. 19. [식각 공정] Plasma, Plasma Sheath Plasma 플라즈마란 고체, 액체, 기체에 이은 제4의 물질 상태를 말한다. 강력한 전기장 혹은 열원으로 가열되어 기체상태를 뛰어넘어 전자, 중성입자, 이온 등 입자들로 나누어진 상태를 의미한다. 플라즈마 상태는 전하 분리도가 상당히 높으면서도 전체적으로 음과 양의 전하수가 같아서 중성을 띠게 된다. 전자가 열을 받아 원자에게서 자유로워지면 끝이기 때문에 당연히 어떤 원소든 플라즈마화 될 수 있다. 플라즈마는 높은 전기 전도도를 가지며, 전기장에 대한 매우 큰 반응성을 갖는다. Plasma sheath Plasma Sheath란 플라즈마 bulk와 챔버 벽면, 전극 사이에 어둡게 보이는 영역을 의미한다. 무게가 가볍고 이동속도가 빠른 전자가 이온 보다 먼저 벽면(or 전극)에 도달하게 되면 전자는 벽면.. 2023. 11. 22. [식각공정] 식각 프로파일(Etch profile)과 이슈 식각 프로파일(Etch Profile)은 식각 공정 이후 측벽의 형태를 의미합니다. 식각 프로파일은 등방성과 이방성이 존재합니다. 대표적인 등방성 식각으로는 습식 식각과 같은 Chemical reaction가 있습니다. 등방성 식각의 대표적인 특징으로는, 모든 방향에 대해 동일한 etch rate를 가집니다. 따라서 등방성 식각은 미세 선폭을 지향하는 현재 기술 발전 방향과 반대됩니다. 이방성 식각은 Lateral etch rate는 적으면서 Vertical etch rate가 큰 건식 식각에서 보이는 식각 프로파일입니다. 식각 프로파일(Etch profile) Etch Rate : 시간당 etch 되는 물질이 제거되는 두께 Etch Bias : Mask edge로부터 undercut 되는 양 Etch .. 2023. 11. 22. [금속배선공정] 반도체 Metal 공정 이슈 정리 - IR Drop(RC Delay) Correlation 2023.11.15 - [취업/반도체 이론 정리] - [반도체공정] Metal material(금속 배선 공정) RC delay 기생 효과(Parasitic Effect)에 의한 전기 신호 전달 속도의 지연되는 현상이다. 여기서 RC의 의미는 아래와 같다. R: 기생 효과에 의해 생기는 저항 성분 C: 기생 효과에 의해 생기는 전하의 축전량(Capacitance) RC Delay로 생기는 Delay time RC delay로 생기는 지연시간(Delay time)은 아래 수식으로 나타낼 수 있다. T_RC =(𝜌_0∙L_1/t_D)(k_D/𝜀_0) 𝜌_0 : 배선 재료의 선 저항 L_1: 배선 길이 t_D :절연재의 두께 k_D: 절연재의 유전 상수 𝜀_0: 배선 재료의 전도도 반도체 집적도가 커지면 배선.. 2023. 11. 18. [반도체 금속배선공정] Metal 공정-IR Drop(RC Delay) correlation IR Drop IR Drop이란 임피던스 저항에 의한 잠재적 전압(V=IR) 강하를 의미합니다. 반도체의 전기적, 화학적으로 측정에 큰 영향을 미칩니다. 데이터 해석 시 영향력을 고려할 필요가 있습니다. 반도체가 IR drop으로 인해 전압공급이 원활하지 않다면 board 오작동 가능성 높아지게 됩니다. IR drop 최소화 방안 IR Drop을 최소화하는 방안은 크게 3가지가 있습니다. 3 전극(three-electrode) 시스템 사용 전류 흐름을 최소화하도록 낮은 스캔 적용 전극 표면적 감소시키기 RC Delay 축전기의 충방전 속도에 따른 회로의 delay를 의미합니다. 충방전의 스위칭이 빠를수록(= RC delay가 짧을수록) 동작속도 상승합니다. RC delay 최소화 방안 RC delay를 .. 2023. 11. 16. 이전 1 2 3 4 ··· 12 다음 반응형
