반응형 분류 전체보기277 땅땅치킨 아주대점 리뷰 땅땅치킨 아주대 삼거리 근처에 위치한 땅땅치킨을 리뷰해보려고 합니다. 위치 : 경기 수원시 영통구 동수원로537번길 57 108호 영업시간 : 14:00~24:00 대표번호 : 031-211-4944 수원페이 사용 가능 포장 주문을 하러 갔는데 주변에 주차장은 따로 없어서 갓길 주차를 하셔야 할 것 같습니다. 사장님이 치킨이 식지 않게 보온대?에 치킨을 두셨는데 괜찮은 아이디어 같았습니다. 제가 10분 정도 늦게 갔는데도 집에 와서 뜯을 때까지 따뜻함이 유지되었습니다. 사장님의 센스가 돋보였습니다!! 메뉴는 단짠단짠 허브순살치킨을 먹었습니다. 땅땅치킨 브랜드 대표 메뉴라고 해서 먹어봤습니다. 간장베이스에 허브 맛이 살짝 돌아서 매우 맛있게 먹었습니다. 양은 성인 남자 혼자 드시기 적당한 정도였습니다. 2023. 3. 24. 열전달 기본 용어 및 개념 (면접 준비) 열역학 법칙 열역학 0법칙: '열적 평형 상태'를 의미한다. 열역학 1법칙: '에너지 보존 법칙'을 의미한다. 에너지의 총량이 있다는 것을 의미한다. 열역학 2법칙: '엔트로피 증가 법칙'을 의미한다. 에너지는 무질서한 방향, 즉 엔트로피가 증가하는 방향으로 흐름이 있다. 열역학 3법칙: '절대 0도에서 계의 엔트로피는 0이 된다' 잠열 vs 헌열 잠열: 상변화 하는데 필요한 열량을 의미한다. 헌열: 상변화 없이 물질의 온도만을 변화시키는데 필요한 열량을 의미한다. 엔탈피, 엔트로피 엔탈피(h): 물질이 가지는 에너지의 양을 의미한다. 단위는 J이다. 엔트로피(s): 물질이 가지는 에너지의 무질서도를 의미하는 상태량이다. 단위는 J/K이다. 엔트로피는 항상 증가하는 방향을 가지고 있다. 기체의 상태 법칙.. 2023. 3. 19. 2023 인터배터리 취업 설명회 (구직자 방문 팁) INTERBATTERY 배터리 산업을 준비하고 있는 취준생이라 취업 정보를 얻고자 인터배터리에 방문했습니다. 이번 인터배터리는 2023.03.15 ~ 2023.03.17 에 진행되었습니다. 저는 행사 마지막 날인 금요일에 방문했습니다. 입장부터 많은 사람들이 몰려 조금 대기하다 들어가게 되었습니다. 아무래도 요즘 배터리 산업이 고속 성장하는 만큼 많은 사람들이 관심을 가지는 것 같았습니다. 인터배터리 취업 설명회 배터리 3사를 포함해 양극재, 음극재, 소재 기업에서 취업 설명회를 진행했습니다. LG에너지솔루션, 삼성SDI, SKon, 포스코케미칼, 에코프로비엠, 원익피앤이 등이 참여했습니다. 취업설명회 참여하려면 취업부스에 가서 미리 예약을 해야 하는 시스템이었습니다. 만약에 채용설명회에 참여하시는 분이.. 2023. 3. 19. FinFET의 Fin 모양, Epi 방법 별 전기적 특성 Fin 모양 - 삼각형을 쓰는 이유 공정 미세화에 따른 lithography와 etching 기술 한계 때문이다. Fin 구조가 사각형 구조에서 삼각형 구조로 변화하면서 Fin 단면의 전위 분포 차이로 문턱 전압이 늘어나고, on-current가 23.47% 감소, off-current가 72.73% 감소하면서 off-current가 더 큰 폭으로 감소하는 것을 확인할 수 있었다. 소스/드레인 epi 성장 방법 Epi(Epitaxy)를 Fin 위에 성장시키는 경우(grown-on-fin)와 Fin을 etch 시키고 성장시킨 경우(etched-fin)로 나눌 수 있다. Fin을 etch시키고 성장시킨 경우(etched-fin) epi 영역이 증가하면서 stress의 크기가 커지게 된다. 그에 다라 FinF.. 2023. 3. 16. FinFET 구조와 생산 프로세스 FinFET 구조 기존 Planar 구조의 한계를 극복하기 위해 도입된 입체 구조의 공정기술로, GATE와 Channel 사이의 접점을 키워 반도체 성능 향상 및 누설전류 감소를 이뤄낸 구조이다. * 삼성전자는 14nm 기술부터 FinFET구조를 활용했다. 4nm까지 핀펫 구조를 활용하였으며, 현재는 GAA와 MBCFET으로 한계를 극복하고 있다. FinFET 구조가 도입된 이유 칩의 집적도가 나노단위까지 미세화됨으로서 벽(Insulator)이 있어도 전자가 통과하는 터널링효과(Turnneling Effect)가 발생했다. 이는 트랜지스터의 누설전류를 증가시켰고 칩 성능에 악영향을 미쳤다. 이런 문제점을 해결하기 위해 FinFET구조가 도입되었다. FinFET 구조 도입으로 디지털 회로에서는 누설전류의 .. 2023. 3. 16. 이전 1 ··· 32 33 34 35 36 37 38 ··· 56 다음 반응형
