반도체 산화공정 (Oxidation)

산화공정 (Oxidation)

웨이퍼 공정 이후 공정의 가장 기초적인 단계로서 웨이퍼 표면에 산화막(SiO2)을 형성한느 과정이다.

 

 

산화공정 (출처 - ASML KOREA)

 

산화공정 목적

1. 웨이퍼 절연막 역할을 하는 산화막(SiO2)을 형성해 회로와 회로사이에 누설전류가 흐르는 것을 차단하기 위해서이다.
2. 산화막은 이온주입공정에서 확산 방지막 역할을 하고, 식각공정에서는 필요한 부분이 잘못 식각 되는 것을 막는 식각 방지막 역할을 한다.

2023.02.28 - [취업/반도체 이론 정리] - 산화막 용도 (산화공정)

산화막 용도 (산화공정)

 

산화막의 장점

1. 비교적 성장이 쉽다.
2. 규소Si를 비롯해 다른 물질과의 접착성(Adhesion)이 좋다.
3. 외부 물질을 잘 차단해 준다.
4. 다른 물질을 식각 할 때 잘 견디는 특성을 보인다.
5. HF(불화수소)로 Selective 하게 녹일 수 있다.
6. 절연성이 우수하다.
7. 접촉면 결함(Interface defect)이 적어 접착에 유리하다.
8. 수명과 내구성이 우수하다.