패키징 공정 부품

패키징 공정 요소

기판(Substrate) : 반도체 칩을 실장하고 전기적으로 연결하는 기본적인 구성요소이다. 기판은 전기적 신호를 전달하기 위한 전선, 파워 및 접지를 제공하기 위한 패드, 그리고 칩을 고정하기 위한 장치로 구성되어 있다.

금속선(Metal Wire) : 칩과 기판 사이에 전기적인 연결을 제공하기 위해 사용되는 금속선이다. 일반적으로 알루미늄, 구리, 금 등의 금속으로 만들어진다. Metal wire의 성능이 전기적 특성, 전도성, 저항, 신호속도 등에 영향을 미친다.
몰딩 컴파운드(Molding Compound) : 제품 최종 성형 및 부품 고정을 위해 사용되는 물질이다. 몰딩 컴파운드의 재료는 세라믹, 금속, 플라스틱 등이 사용된다. 현재는 단가가 저렴한 플라스틱이 주류를 이루고 있다. 에폭시 수지에 실리카 등의 무기재료와 경화재, 난연재, 이형재와 같은 각종 부재료가 첨가된 EMC(Epoxy Molding Compound)가 사용되기도 한다.
리드프레임(Lead Frame) : 칩을 기판에 부착하고 전기적인 연결을 제공하는 요소이다. 리드프레임은 일반적으로 칩을 부착할 수 있는 홀을 가지고 있으며, 이 홀을 통해 칩과 연결된다. 일반적으로 알루미늄, 구리, 합금 등으로 만들어지며, 반도체 패키징에서 다양한 유형으로 사용된다.

CSP(Chip Scale Package) : 반도체 칩 크기와 동일하거나 약간 큰 반도체를 패키징 하는 방법이다. 보드에 칩을 연결할 때 핀을 사용하지 않아 주로 초소형 반도체에 사용되는 방법이다. 헤드셋, 노트북 등에 사용되고 있다.
MCP(Multi Chip Package) : 박판의 기판 위에 얇은 칩을 여러 개 수직 적층하고 기존의 CSP 실장 기술을 접목하는 패키징 방법이다. 메모리의 용량과 성능을 증가시키고 면적 효율을 극대화시킨 방법이다. 다중 칩 패키지는 과거 개별 반도체를 평면적으로 여러 개 장착하는 것과 달리, 모두 위로 쌓아 올림으로써 칩의 공간활용성을 높였다. 작은 부피에 많은 칩을 쌓을 수 있기에 소형의 고성능을 필요로 하는 스마트폰, 태블릿 PC 등 휴대용 기기에 사용된다.

플립칩 (Flip Chip): 칩 pad 위에 bump 등을 형성하여 기판에 칩을 바로 접합한 칩을 의미한다.
BGA (Ball Grid Array): 패키징 된 칩을 격자 방식으로 배열된 금속 ball을 이용하여 실장 하는 방식이다. 공간 활용률이 높고 신호 손실이 적다는 장점이 있다.

TSV (Through Silicon Via): 반도체 chip에 칩을 수직 관통하는 via hole을 형성하여, chip 적층 시 chip 간의 전기적 신호를 전달하는 첨단 패키지 방식이다. 이는 wire bonding을 사용한 기존 chip간 적층 기술과 달리 추가적인 공간을 요구하지 않아 더 작은 제품으로 구현이 가능하다.