반응형 분류 전체보기325 웨이퍼 제조 공정 웨이퍼 제조 공정 웨이퍼 제조공정은 요약하면 잉곳 제조 → 절단 → 연마로 나눌 수 있다. 1. 원료 선택(Material Selection) 잉곳을 생산하기 위해 순도 높은 다결정 실리콘을 선택한다. 2. 결정 성장(Crystal Growing) 약 1450℃의 온도에서 다결정 실리콘을 녹인 후 이를 단결정 잉곳으로 정제 및 성장시킨다. 단결정 실리콘 성장 방법 1) 초크랄스키법, 2) 플로팅 존법 다결정 실리콘 성장 방법 1) Casting 법, 2) Bridgman 법 2023.02.27 - [취업/반도체 이론 정리] - 실리콘 단결정 성장 방법 실리콘 단결정 성장 방법 초크랄스키법(Czochralski Techinique) 고주파 마이크로웨이브를 이용하여 용융로 속의 원료를 용융시키고 용융체의 표.. 2023. 2. 27. 실리콘 다결정 성장 방법 Casting 캐스팅법 용해시킨 실리콘액을 말 그대로 거푸집에 넣어 식히는 방법이다. Bridgman 브릿지맨법 코일을 이용하여 규소(Si)를 용해시킨 후 코일을 제거해 아래서부터 위로 냉각시키는 방법이다. 2023. 2. 27. 실리콘 단결정 성장 방법 초크랄스키법(Czochralski Techinique) 고주파 마이크로웨이브를 이용하여 용융로 속의 원료를 용융시키고 용융체의 표면에 종자 결정(Seed Crystal)을 위치시켜 결정핵이 형성되게 한 후 서서히 회전 및 상승시켜서 결정을 성장시키는 방법이다. 초크랄스키법은 용융된 원료가 결정핵을 형성하지 않으면서 종자결정을 용융체의 표면에 접촉하였을 때 종자결정을 녹이지 않도록 적절한 온도를 유지하는 것이 공법의 핵심이다. 이를 위해 컴퓨터의 정교한 컨트롤에 의해 온도를 적절하게 유지시키는 기술이 핵심이다. 현재 반도체 웨이퍼 생산 방식에서 가장 많이 사용되고 있는 공법이다. 플로팅 존법(Floating Zone Techinique) 규소(Si)와 같이 융점이 높고 용융상태에서 화학활성이 큰 물질에서는.. 2023. 2. 27. 웨이퍼 란? 웨이퍼 웨이퍼란 반도체 집적회로를 만드는 데 사용하는 주요 재료로, 주로 실리콘(규소 Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 얻은 단결정 기둥(Ingot)을 적당한 지름으로 얇게 썬 얇은 원판 모양의 판이다. 이 중에서 실리콘을 가장 많이 사용하는 이유는 실리콘의 원재료인 규소를 지구상에서 구하기 쉽고, 열민감도나 반도체 제조 시 산화막 생성이 유리하다는 장점이 있어서 이다. 현재는 12인치(300mm) 웨이퍼를 주로 사용하는데, 그 이유는 웨이퍼가 크면 클수록 한 웨이퍼 위에 만들어지는 칩의 개수가 늘어나 생산단가가 낮아지는 장점이 있기 때문이다. 실리콘의 분류 결정 구조에 따라 크게 결정질 실리콘(Crystallin Silicon)과 비결정질 실리콘(Amorphous Silicon)으로 나.. 2023. 2. 27. HBM 고대역폭 초고속 메모리로 바라본 반도체 업황 AI 반도체 AI 반도체는 인공지능 분야에서 사용되는 전용 반도체로, 딥 러닝 모델을 빠르고 효율적으로 처리하기 위해 설계된 반도체를 한다. 일반적인 중앙 처리 장치(CPU)나 그래픽 처리 장치(GPU)와 달리, AI 반도체는 딥 러닝 모델을 실행하는 데 특화되어 있다. 이러한 반도체는 딥 러닝 모델의 병렬 처리를 빠르게 처리하며, 딥 러닝 모델을 더 효율적으로 처리하기 위해 고도로 최적화된 하드웨어와 소프트웨어를 사용한다. HBM 고대역폭 초고속 메모리 AI 반도체를 사용하기 위해서는 많은 양의 데이터를 한 번에 처리할 수 있는 그래픽장치가 필요하다. 이 성능을 좌우하는 게 여러 개의 메모리 반도체 D램을 이어 붙여 데이터 처리 속도를 높인 HBM(High Band-width Memory, 고대역폭 초.. 2023. 2. 27. 이전 1 ··· 49 50 51 52 53 54 55 ··· 65 다음 반응형
