면접 준비하면서 알아본 기업 분석 내용을 공유하려고 합니다. 해당 내용은 제가 개인적으로 알아본 거라 정확하지 않을 수 있으니 이점 인지하시고 참고 바라겠습니다.
CS 직무
고객사 서포트. 한국의 삼성과 SK하이닉스와 같은 고객사에서의 장비 운영을 원활히 하는 역할을 합니다. CS엔지니어는 4일 근무와 3일 휴무와 같은 일정 속에서 12시간 교대 근무를 합니다. CS엔지니어들은 개방적이고, 유연하며 수평적인 조직 구조 속에서 일합니다.
CS 역할과 책임
문제 분석 및 접근 방식
문제와 관련된 모든 정보를 수집하고, 사용 가능한 수단을 사용하여 분석하고, 필요한 경우 추가 진단 정보를 수집하고, 문제 해결을 위한 초기 접근 방식을 결정하고, 새로운 정보를 평가하고, 필요한 경우 접근 방식을 조정합니다.
문제 인계 및 라우팅
문제 또는 문제 측면을 다른 사람에게 인계하고(2차/3차 지원) 문제 해결과 관련된 모든 데이터(예: 전달, 작업 주문, 현장 서비스 보고서, 시스템 문제 보고서, 기술 보고서)를 문서화하고 패키지화하여 문제 소유권이 명확하고 후속 조치가 이루어지도록 하세요.
수리
고객 기술 담당자와 함께 문제 처리에 대해 조언하고 2차 및 3차 지원의 매뉴얼 및 지침을 사용하여 도구 사용, 부품 교체, 설정 개선, 수리 수행을 수행합니다.
절차
절차를 실행하기 위한 고객 기계 시간 창을 조정하고, 절차를 계획하고, 절차 시작 시 사용할 수 있는 모든 (가능한) 부품, 도구, 장비 및 정보/지식을 준비하고, 절차를 실행하고, 최적의 실현을 위해 절차 중에 필요한 결정/적응을 내립니다.
지식 축적 및 이전
ASML 제품, 신규 및 설치, 도구, 매뉴얼, 작업 방식 등에 대해 다른 사람에게 가르치고 자신의 지식을 유지하고 확장합니다.
코칭
필요에 따라 경험이 부족한 ASML 또는 현지 직원에게 적절한 지원 및 지원을 제공합니다.
지속적인 개선
매뉴얼/절차 및 작업 방식의 개선 가능성을 알리고, 적용 가능성, 정확성 및 설계 사양 준수를 분석하고, 적절한 경우 설계 변경 또는 재료 대체를 권장합니다.
조정 및 고객 상호 작용 클라이언트
직원을 포함하여 팀 내 직원의 활동을 계획하고 조정하며 모든 상황에서 여러 수준에서 고객을 처리합니다.
예정된 서비스 활동
정기적인 유지 관리를 실행하고 업그레이드 및 FCO를 구현합니다.
ASML 제품
EUV(극자외선)
극자외 광원을 이용한 노광 장비. 현행 NA=0.33
차세대 EUV
NA값을 0.55(High-NA)까지 높인 차세대 EUV장비. 기존 EUV장비 대비 70% 향상된 해상도와 오버레이 적용이 가능
DUV(심자외선)
반도체 양산에 가장 많이 사용되는 시스템. 물을 사용한 Immersion장비와 Dry솔루션이 있음.
계측&검사
Metrology 솔루션 : 웨이퍼에 구현된 이미징을 빠르게 측정하여 실시간으로 데이터화
Inspexction 솔루션 : 생산된 반도체 결함을 찾아 분석
소프트웨어
기술
트윈스캔방식(TwinScan)
웨이퍼에 패턴을 노광하기 위해서 먼저 Wafer 어느 위치에 노광을 할지 위치를 결정하는 작업(웨이퍼 표면의 이전 Layer에서 만든 Align key를 읽어 찍을 위치를 결정하는 Align 작업,(X,Y 위치를 결정)과 웨이퍼의 높이를 정밀하게 측정하여 광학적 이미지의 높이(Z)를 결정하는 Leveling 작업)을 진행한다. TwinScan 방식은 설비 내에 2개의 스테이지가 있어 한쪽 스테이지가 노광 중일 때, 동시에 반대쪽 스테이지는 다음 웨이퍼를 미리 받아 Align/Leveling 작업을 진행하여 단위 시간당 처리가능한 웨이퍼를 경쟁사 대비 극대화 시킨 ASML사의 특허 기술이다.
홀리스틱 리소그래피
컴퓨터 모델링과 시뮬레이션 기술을 통해 마스크 디자인부터 웨이퍼 생산까지 노광 공정을 최적화하는 기술. 이를 통해 높은 해상도와 세밀한 간격으로 스케일링이 가능. K1값을 낮추면서 안정적으로 유지하는 방법. 응용프로그램.
High-NA EUV
NA값을 0.55(High-NA)까지 높인 차세대 EUV장비. 기존 EUV장비 대비 70% 향상된 해상도와 오버레이 적용이 가능 / 시간당 220장
Anamorphic 기술을 적용해 기존 NA 0.33에서 NA 0.55로 해상도 높임
입사빔의 모양을 가로축으로 축소하여 Wide한 긴 원통모양의 광을 입사하고, 마스크 회로 패턴은 광이 가로축으로 축소한 만큼 기존 배율의 2배로 늘림으로써 원하는 회로패턴을 웨이퍼에 형성하는 기술
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ASML이 메모리반도체 강국인 한국과의 밀착을 강화하고 있다. 주요 고객사인 삼성전자와 SK하이닉스의 반도체 생산기지가 있는 한국 투자를 강화해 반도체 제조사와 함께 시너지를 내겠다는 전략이다. ASML의 한국 지사인 ASML 코리아는 경기도 용인에 EUV 노광장비 관련 기술을 전수하는 글로벌트레이닝센터를 열었다. 이 센터는 약 1445㎡ 규모에 클린룸, 강의실, 사무공간 및 기타 편의시설을 갖췄다. 센터에서는 EUV 노광장비 유지·보수를 담당하는 엔지니어를 대상으로 심화 트레이닝 과정 등 기술교육 프로그램을 제공한다. ASML은 반도체 미세공정에 꼭 필요한 EUV 노광장비를 독점 생산하고 있어 글로벌 반도체 시장에서는 ‘슈퍼을(乙)’로 통한다. 노광 공정은 미세하고 복잡한 전자회로를 반도체 웨이퍼에 그려 넣는 기술로, EUV 장비를 활용하면 짧은 파장으로 세밀하게 회로를 그릴 수 있다. 글로벌트레이닝센터는 지역 사회를 위한 사회공헌활동의 하나로 국내 대학과 연계한 산학협력 프로그램을 추진해 반도체 분야 미래 인재 육성에도 앞장설 계획이다.
Hi-NA 장비 파일럿 가동
ASML이 차세대 극자외선(EUV) 노광장비 '하이 NA EUV' 파일럿 라인을 본격 가동한다. 2024년 장비 초도 양산에 앞서 프로토타입 생산과 테스트를 위한 라인이다. 하이 NA EUV 노광장비는 2나노 이하 초미세공정에 필요한 핵심 장비로 분류된다. 빛 집광능력을 나타내는 렌즈 개구수(NA)를 기존 0.33에서 0.55로 끌어올려 초미세회로를 그릴 수 있는 EUV 장비다. 삼성전자와 TSMC 등 글로벌 반도체 위탁생산(파운드리) 기업은 2025년 2나노 공정을 가동할 계획이다. 신뢰성 검증 등 기술 지원을 위해 내년에는 R&D용 장비가 생산돼야 한다. ASML은 이에 하이 NA EUV 장비를 2024년부터 초에 출하하겠다고 밝혔다. SK하이닉스, 인텔, 마이크론 등도 이 장비를 원하는 수요 기업이다. 하이 NA EUV 장비는 2025년부터 대량 생산된다. ASML과 아이멕은 반도체 장비·재료 생태계 내 파트너와 새로운 반도체 응용 분야 탐색, 칩 제조업체와 엔드 유저를 위한 지속 가능한 첨단 제조 솔루션 개발도 추진할 전망이다.
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