습식식각(Wet etching) vs 건식식각(Dry etching)

식각공정

반도체 식각공정은 반도체 제조 공정 중 하나로, 반도체 웨이퍼의 일부분을 제거하여 회로를 제작하는 공정이다. 회로의 패턴 중 필요한 부분만 남기고 불필요한 부분은 깎아내는 공정이다. 일반적으로 식각공정은 노광공정을 통해 PR을 굳혀 마스크를 제작 후 진행된다.

 

식각공정

 

습식식각(Wet Etching)

습식식각은 용액에 의한 화학적 반응으로 일어나며 등방성 식각의 특징이 있다.

 

장점 : 저비용이며 비교적 공정 과정이 쉬운 편이다. 식각속도(Etch rate)가 빠르며 선택비(Selectivity)가 좋은 편이다.

 

단점 : 상대적으로 식각 이후 패턴의 정밀도가 높지 않고, Cleaning이 충분히 되지 않을 때 화학물질로 인해 웨이퍼가 오염되는 문제가 발생할 수 있다. 또한, PR 밑부분까지 식각이 되어 PR이 무너지는 현상도 발생할 수 있다. Etching 두께를 컨트롤하기가 쉽지 않다.

 

건식식각(Dry Etching)

건식식각은 플라즈마 기체나 활성화된 기체에 의한 반응으로 크게 물리적, 화학적, 물리화학적 방법 세 가지로 나누어진다. 

 

장점 : 미세 패터닝이 가능하다. 식각 두께를 정밀하게 컨트롤하는 것이 가능하다.

 

단점 : 비용이 비싸고 공정이 까다로운 단점이 있다. 선택비가 좋지않아 마스크 물성에 제한이 있으며, 마스크 두께를 두껍게 형성해야 한다는 단점이 있다.

습식 vs 건식

2023.04.23 - [취업/반도체 이론 정리] - 건식식각(Dry etch)

건식식각(Dry etch)