반응형 취업/반도체 이론 정리57 실리콘 단결정 성장 방법 초크랄스키법(Czochralski Techinique) 고주파 마이크로웨이브를 이용하여 용융로 속의 원료를 용융시키고 용융체의 표면에 종자 결정(Seed Crystal)을 위치시켜 결정핵이 형성되게 한 후 서서히 회전 및 상승시켜서 결정을 성장시키는 방법이다. 초크랄스키법은 용융된 원료가 결정핵을 형성하지 않으면서 종자결정을 용융체의 표면에 접촉하였을 때 종자결정을 녹이지 않도록 적절한 온도를 유지하는 것이 공법의 핵심이다. 이를 위해 컴퓨터의 정교한 컨트롤에 의해 온도를 적절하게 유지시키는 기술이 핵심이다. 현재 반도체 웨이퍼 생산 방식에서 가장 많이 사용되고 있는 공법이다. 플로팅 존법(Floating Zone Techinique) 규소(Si)와 같이 융점이 높고 용융상태에서 화학활성이 큰 물질에서는.. 2023. 2. 27. 웨이퍼 란? 웨이퍼 웨이퍼란 반도체 집적회로를 만드는 데 사용하는 주요 재료로, 주로 실리콘(규소 Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 얻은 단결정 기둥(Ingot)을 적당한 지름으로 얇게 썬 얇은 원판 모양의 판이다. 이 중에서 실리콘을 가장 많이 사용하는 이유는 실리콘의 원재료인 규소를 지구상에서 구하기 쉽고, 열민감도나 반도체 제조 시 산화막 생성이 유리하다는 장점이 있어서 이다. 현재는 12인치(300mm) 웨이퍼를 주로 사용하는데, 그 이유는 웨이퍼가 크면 클수록 한 웨이퍼 위에 만들어지는 칩의 개수가 늘어나 생산단가가 낮아지는 장점이 있기 때문이다. 실리콘의 분류 결정 구조에 따라 크게 결정질 실리콘(Crystallin Silicon)과 비결정질 실리콘(Amorphous Silicon)으로 나.. 2023. 2. 27. 이전 1 ··· 9 10 11 12 다음 반응형
