반응형 취업/반도체 이론 정리57 [포토공정]포토리소그래피 분해능 향상 기술 패턴이 미세화되면서 회절과 산란형상에 의한 선 폭 주변에 간섭현상이 발생하였다. 이로 인해 마스크 패턴이 왜곡되었는데 이를 해결하기 위해 다양한 기술들이 연구되었다. PSM, OPC, OAI, DPT 등의 분해능 향상 기술이 개발되었다. 광보정법 (OPC, Optical Procimity Correction) 왜곡이 일어날 것으로 예상되는 부분의 패턴을 인위적으로 변조시킨 마스크를 사용하는 방법이다. 이를 통해 패턴의 정확성을 높일 수 있다. 비등축조명법 (OAI, Off-axis illumination) 0차 항뿐만 아니라 +1, -1차 항의 빛을 렌즈로 집속 시켜 상을 맺을 수 있게 하는 해상도 향상 기술이다. PSM (Phase Shift Mask) 위상변위마스크는 빛의 세기 뿐만 아니라 위상까지도.. 2023. 5. 13. 포토공정이란? 포토공정(Photolithography) 반도체 표면에 빛을 이용하여 회로 패턴을 그려 넣는 공정이다. 포토리소그래피는 빛을 나타내는 Photo, 라틴어로 돌을 뜻하는 Litho, 인쇄술을 나타내는 Graphy의 합성어로 빛을 이용해 돌을 찍어내는 기법을 의미한다. 포토공정 프로세스 1. Surface Preparation 본격적인 포토공정 전 웨이퍼 표면을 처리하는 공정이다. 크게 Wafer Cleaning, Dehydration bake, Wafer prime의 세 가지 공정 과정을 거친다. Wafer Cleaning : 웨이퍼 표면 불순물 제거 Dehydration Baking : 웨이퍼 표면 수분 제거 Wafer Prime : 웨이퍼 기판과 PR의 접착성을 향상시키기 위한 과정이다. 친수성 표면을.. 2023. 5. 13. [포토공정] Develop 후의 PR형태 및 이슈 포토공정 후 Develop 후의 PR 형태에 따라 이후 공정의 퀄리티가 결정된다. Develop 후의 PR 형태 현상 단계는 현상액을 이용하여 필요 없는 부분을 구분하여 PR을 제거하는 과정이다. 현상 후 Positive PR과 Negative PR의 단면은 다른 모양을 가지게 된다. 이와 같은 차이를 이용해 Lift-off와 같은 메탈 증착을 할 수 있다. Lift-off 현상 후 Positive PR과 Negative PR의 단면이 다른 이유는 빛의 회절과 관련이 있다. Positive PR의 경우 빛을 받는 중앙을 중심으로 넓게 퍼진 부분이 제거가 된 상태이다. 이 상태로 메탈을 증착하고 필요 없는 PR을 제거하면 메탈이 찢어져 깔끔하게 패턴이 형성되지 못하게 된다. 반면 Negative PR은 빛.. 2023. 5. 13. [포토공정] 오버레이와 CD 반도체 공정에서 수많은 노광과 에칭 공정을 거치면서 웨이퍼 위에 수 나노미터의 회로를 순차적으로 쌓아야 한다. 이때 정밀도가 매우 중요하고 이를 나타내는 오버레이와 CD에 대해 설명해보고자 한다. 오버레이(Overlay) 반도체 공정은 수 많은 공정을 거치면서 웨이퍼 위에 순차적으로 다양한 층인 도체와 절연체들을 쌓아야 한다. 이때 기존에 설계된 패턴개로 모든 회로가 그려져야 하는데, 각 층이 쌓일 때 얼마나 정확한 위치에 빗나가지 않고 수직으로 연속되게 쌓아 올릴 수 있는지의 척도가 Overlay이다. CD(Critical Dimension, 최소 선폭) 회로를 수직으로 쌓아 올릴 떄 고려해야 하는 위치 값이 Overlay라면, CD는 수평적으로 회로들이 얼마나 균일한지를 표현하는 치수이다. 일반적으로.. 2023. 5. 13. [포토공정] 마스크와 펠리클 마스크(Mask) 마스크는 반도체 회로 패턴이 새겨진 금속 원판으로 노광 공정 때 웨이퍼 위에 배치되어 사용된다. 마스크를 통과한 빛은 포토레지스트(PR)를 도포한 웨이퍼에 닿아 화학 반응을 거쳐 실제 패턴을 생성한다. 펠리클(Pellicle) 마스크 위에 씌워지는 얇은 박막 덮개로 마스크의 보호 역할을 한다. 노광 작업 중 마스크 오염을 보호하면서 불량 패턴을 최소화하고 마스크 활용 시간을 늘리는 역할을 한다. 2023. 5. 13. 이전 1 2 3 4 5 6 7 ··· 12 다음 반응형
