반응형 취업/반도체 이론 정리57 산화막 생성 방법 (산화공정) 산화막 생성 방법 자연 산화막(Nature Oxide) 성장과정을 제어하기 어려워 원하는 막 품질을 형성하기 어렵다. 자연 산화막은 친수성(Hydrophilic) 성질을 가지기 때문에 보통 공정 초기에 불화수소(HF)로 제거하는 과정을 거친다. 성장법 (Growth) 열산화법(Thermal growth), 양극산화법(Anodization) 등 방법을 활용해 산화막을 성장한다. 둘 중에서 열산화법이 가장 널리 사용되고 있다. 이 방법은 반드시 Si 기판 위에서만 성장이 가능하다는 한계가 있다. 상대적으로 증착법에 비해 막 품질이 좋으나 성장 속도가 느린 단점이 있다. 열 산화법(Thermal growth)을 사용하는 경우 SiO2와 Si의 열팽창 계수 차이를 주의해야 한다. 부피팽창의 경우 SiO2 > S.. 2023. 2. 28. 반도체 산화공정 (Oxidation) 산화공정 (Oxidation) 웨이퍼 공정 이후 공정의 가장 기초적인 단계로서 웨이퍼 표면에 산화막(SiO2)을 형성한느 과정이다. 산화공정 목적 웨이퍼 절연막 역할을 하는 산화막(SiO2)을 형성해 회로와 회로사이에 누설전류가 흐르는 것을 차단하기 위해서이다. 산화막은 이온주입공정에서 확산 방지막 역할을 하고, 식각공정에서는 필요한 부분이 잘못 식각 되는 것을 막는 식각 방지막 역할을 한다. 2023.02.28 - [취업/반도체 이론 정리] - 산화막 용도 (산화공정) 산화막 용도 (산화공정) 산화막 용도 1. 소자간 격리 - LOCOS, STI 소자가 점점 작아짐에 따라 소자 간 전류가 누출되는 것을 막기 위해 소자 사이에 산화막을 넣어 누출을 방지한다. 과거에는 LOCOS(Local Oxidatio.. 2023. 2. 28. 산화막 용도 (산화공정) 산화막 용도 1. 소자간 격리 - LOCOS, STI 소자가 점점 작아짐에 따라 소자 간 전류가 누출되는 것을 막기 위해 소자 사이에 산화막을 넣어 누출을 방지한다. 과거에는 LOCOS(Local Oxidation of Silicon)를 많이 사용했지만 Bird's Beak 현상 발생으로 최근에는 STI(Shallow Trench Isolation) 방식을 많이 사용하고 있는 추세이다. LOCOS Bird's Beak 현상 : 열성장 속도 차이 때문에 노출된 부분의 가장자리는 조금 성장하고, 노출된 부분의 중심부는 많이 성장하여 새부리 모양의 불균형한 모습이 발생하는 현상을 말한다. 해당 이미지로 설명하자면 a) Silicon Nitride를 부착하기 위해 실리콘 웨이퍼에 Pad Oxide를 형성하고, .. 2023. 2. 28. 웨이퍼 제조 공정 웨이퍼 제조 공정 웨이퍼 제조공정은 요약하면 잉곳 제조 → 절단 → 연마로 나눌 수 있다. 1. 원료 선택(Material Selection) 잉곳을 생산하기 위해 순도 높은 다결정 실리콘을 선택한다. 2. 결정 성장(Crystal Growing) 약 1450℃의 온도에서 다결정 실리콘을 녹인 후 이를 단결정 잉곳으로 정제 및 성장시킨다. 단결정 실리콘 성장 방법 1) 초크랄스키법, 2) 플로팅 존법 다결정 실리콘 성장 방법 1) Casting 법, 2) Bridgman 법 2023.02.27 - [취업/반도체 이론 정리] - 실리콘 단결정 성장 방법 실리콘 단결정 성장 방법 초크랄스키법(Czochralski Techinique) 고주파 마이크로웨이브를 이용하여 용융로 속의 원료를 용융시키고 용융체의 표.. 2023. 2. 27. 실리콘 다결정 성장 방법 Casting 캐스팅법 용해시킨 실리콘액을 말 그대로 거푸집에 넣어 식히는 방법이다. Bridgman 브릿지맨법 코일을 이용하여 규소(Si)를 용해시킨 후 코일을 제거해 아래서부터 위로 냉각시키는 방법이다. 2023. 2. 27. 이전 1 ··· 8 9 10 11 12 다음 반응형
