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패키징 공정 부품 패키징 공정 요소 기판(Substrate) : 반도체 칩을 실장하고 전기적으로 연결하는 기본적인 구성요소이다. 기판은 전기적 신호를 전달하기 위한 전선, 파워 및 접지를 제공하기 위한 패드, 그리고 칩을 고정하기 위한 장치로 구성되어 있다. 금속선(Metal Wire) : 칩과 기판 사이에 전기적인 연결을 제공하기 위해 사용되는 금속선이다. 일반적으로 알루미늄, 구리, 금 등의 금속으로 만들어진다. Metal wire의 성능이 전기적 특성, 전도성, 저항, 신호속도 등에 영향을 미친다. 몰딩 컴파운드(Molding Compound) : 제품 최종 성형 및 부품 고정을 위해 사용되는 물질이다. 몰딩 컴파운드의 재료는 세라믹, 금속, 플라스틱 등이 사용된다. 현재는 단가가 저렴한 플라스틱이 주류를 이루고 있.. 2023. 3. 13.
패키징 공정 패키징 공정이란? 패키징 공정은 반도체 칩을 외부 환경으로부터 보호하고 사용하기 쉬운 형태로 만드는 과정이다. 일반적으로 반도체 패키징은 칩을 기판에 부착하고, 전선을 연결하며, 적절한 보호 층을 덧붙이는 과정을 거쳐 패키징 제품을 완성한다. 반도체 패키징 공정은 반도체 산업에서 점점 중요한 공정이 되어가고 있다. 패키징 공정은 반도체 제품의 성능, 크기, 비용, 제조 및 조립 방법 등에 영향을 미치기 때문에 패키징 공정은 반도체 산업에서 키 역할을 하며, 다양한 기술적 개발과 연구가 이루어지고 있다. 패키징 공정의 목적 1. 반도체 칩에 필요한 전원 공급 라인 2. 반도체 칩과 메인 PCB간 신호 연결 3. 반도체 칩에서 발생되는 열 방출 4. 반도체 칩을 외부의 습기나 불순물로부터 보호 패키징 공정의.. 2023. 3. 13.
냉동공조 기본 용어 및 개념 (면접 준비) 냉동공조 냉동 : 인공적으로 사물이나 공간의 열을 제거하여 온도를 낮추는 것 공조 : 사람이 느끼는 쾌적도를 높이기 위해 온도, 습도, 청정도, 기류를 조절하는 것 계 연구대상이 되는 물질 영역을 말한다. 계는 '경계(Boundary)'와 '주위(Surrounding)'로 구성되어 있다. 개방계 : 열과 일, 물질의 이동이 있는 계 밀폐계 : 열과 일의 이동만 있는계 고립계 : 열과 일, 물질의 이동이 없는 계 용량성 vs 강도성 용량성(종량적) : 질량에 비례하는 성질이다. 질량, 체적, 엔탈피, 엔트로피가 대표적인 예시이다. 강도성(강성적) : 질량에 무관한 성질이다. 온도, 습도, 압력, 밀도, 비체적, 비엔탈피, 비엔트로피가 대표적인 예시이다. 습도 절대습도 : 건공기 1kg 속에 포함되어 있는 .. 2023. 3. 12.
웨이퍼 세척 공정 산화공정은 크게 Wafer Cleaning → Oxidation → Inspection의 단계로 진행된다. 웨이퍼 세척 (Wafer Cleaning) 웨이퍼 세척 공정이란 화학물질처리, 가스, 물리적 방법을 통해 웨이퍼 표면에 있는 불순물을 제거하는 공정이다. 웨이퍼 표면에 존재하는 입자(Particle), 금속(Metal), 유기물, 자연 산화막 등 미량의 불순물은 전기적 특성 저하로 반도체 제품의 수율과 신뢰성에 부정적인 영향을 준다. 따라서 산화막을 형성하는 산화공정이나 회로 패턴 형성 후 불필요한 부분을 제거하는 식각공정 후에 웨이퍼 세척 공정이 이루어진다. 웨이퍼 세척 공정은 각 공정 전후에 가교 역할을 하며 반복적으로 진행되기에 진행 횟수가 다른 공정 대비 2배 정도 많다. 침지 방식 침지 방.. 2023. 3. 12.
산화공정 Oxidation 성장 속도에 관여하는 변수 1. 온도(Temperature) 공정 초기와 공정 후기 모두 온도가 높으면 성장속도가 빨라진다. 하지만 공정초기와 공정후기의 성장 속도 상승 이유는 다르다. 기본적으로 반응 속도 상수 k(T)와 확산계수 D(T) 모두 온도에 관한 함수이다. 공정초기에는 산화막 두께가 얇아 확산계수의 영향이 적다. 즉 공정초기에는 반응지배적 성장단계(Reaction Dominant)를 가진다. 공정초기 반응지배적 성장단계에서는 상대적으로 반응 속도 상수 k(T)의 증가가 산화막 성장에 주도적인 역할을 한다. 공정후기에는 산화막 두께가 두꺼워져 확산계수에 대한 영향이 크다. 다시 말해 공정후기에는 확산지배적 성장단계(Diffusion dominant)를 가진다. 이는 상대적으로 확산계수 D(T) 증가가 산화막 성장에 주도.. 2023. 3. 1.
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