[포토공정] 오버레이와 CD

반도체 공정에서 수많은 노광과 에칭 공정을 거치면서 웨이퍼 위에 수 나노미터의 회로를 순차적으로 쌓아야 한다. 이때 정밀도가 매우 중요하고 이를 나타내는 오버레이와 CD에 대해 설명해보고자 한다.

 

오버레이(Overlay)

반도체 공정은 수 많은 공정을 거치면서 웨이퍼 위에 순차적으로 다양한 층인 도체와 절연체들을 쌓아야 한다. 이때 기존에 설계된 패턴개로 모든 회로가 그려져야 하는데, 각 층이 쌓일 때 얼마나 정확한 위치에 빗나가지 않고 수직으로 연속되게 쌓아 올릴 수 있는지의 척도가 Overlay이다.

CD(Critical Dimension, 최소 선폭)

회로를 수직으로 쌓아 올릴 떄 고려해야 하는 위치 값이 Overlay라면, CD는 수평적으로 회로들이 얼마나 균일한지를 표현하는 치수이다. 일반적으로 패턴의 사이 거리를 의미하며, 최소 선폭이라고 말하기도 한다.

 

레티클(마스크)의 패턴을 비춰 웨이퍼에 그려내는 노광 원리를 생각해 보면, 레티클 상의 CD 값은 웨이퍼의 CD 값에 즉각적인 영향을 준다. 따라서 CD 값은 웨이퍼 위치에 따라서 달라지면 안 된다. 하지만 실제 필드에서 그 값이 여러 요인에 의해 달라질 수밖에 없다.

2023.05.13 - [취업/반도체 이론 정리] - [포토공정] 마스크와 펠리클

[포토공정] 마스크와 펠리클

Overlay 및 CD