반응형 분류 전체보기325 2023 인터배터리 취업 설명회 (구직자 방문 팁) INTERBATTERY 배터리 산업을 준비하고 있는 취준생이라 취업 정보를 얻고자 인터배터리에 방문했습니다. 이번 인터배터리는 2023.03.15 ~ 2023.03.17 에 진행되었습니다. 저는 행사 마지막 날인 금요일에 방문했습니다. 입장부터 많은 사람들이 몰려 조금 대기하다 들어가게 되었습니다. 아무래도 요즘 배터리 산업이 고속 성장하는 만큼 많은 사람들이 관심을 가지는 것 같았습니다. 인터배터리 취업 설명회 배터리 3사를 포함해 양극재, 음극재, 소재 기업에서 취업 설명회를 진행했습니다. LG에너지솔루션, 삼성SDI, SKon, 포스코케미칼, 에코프로비엠, 원익피앤이 등이 참여했습니다. 취업설명회 참여하려면 취업부스에 가서 미리 예약을 해야 하는 시스템이었습니다. 만약에 채용설명회에 참여하시는 분이.. 2023. 3. 19. FinFET의 Fin 모양, Epi 방법 별 전기적 특성 Fin 모양 - 삼각형을 쓰는 이유 공정 미세화에 따른 lithography와 etching 기술 한계 때문이다. Fin 구조가 사각형 구조에서 삼각형 구조로 변화하면서 Fin 단면의 전위 분포 차이로 문턱 전압이 늘어나고, on-current가 23.47% 감소, off-current가 72.73% 감소하면서 off-current가 더 큰 폭으로 감소하는 것을 확인할 수 있었다. 소스/드레인 epi 성장 방법 Epi(Epitaxy)를 Fin 위에 성장시키는 경우(grown-on-fin)와 Fin을 etch 시키고 성장시킨 경우(etched-fin)로 나눌 수 있다. Fin을 etch시키고 성장시킨 경우(etched-fin) epi 영역이 증가하면서 stress의 크기가 커지게 된다. 그에 다라 FinF.. 2023. 3. 16. FinFET 구조와 생산 프로세스 FinFET 구조 기존 Planar 구조의 한계를 극복하기 위해 도입된 입체 구조의 공정기술로, GATE와 Channel 사이의 접점을 키워 반도체 성능 향상 및 누설전류 감소를 이뤄낸 구조이다. * 삼성전자는 14nm 기술부터 FinFET구조를 활용했다. 4nm까지 핀펫 구조를 활용하였으며, 현재는 GAA와 MBCFET으로 한계를 극복하고 있다. FinFET 구조가 도입된 이유 칩의 집적도가 나노단위까지 미세화됨으로서 벽(Insulator)이 있어도 전자가 통과하는 터널링효과(Turnneling Effect)가 발생했다. 이는 트랜지스터의 누설전류를 증가시켰고 칩 성능에 악영향을 미쳤다. 이런 문제점을 해결하기 위해 FinFET구조가 도입되었다. FinFET 구조 도입으로 디지털 회로에서는 누설전류의 .. 2023. 3. 16. MOSFET이란? MOSFT MOSFET(Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터는 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계효과 트랜지스터이다. N채널링과 P채널링으로 구성되어 있다. 주로 전기적 신호를 제어하거나 증폭하는 데 사용한다. MOSFET은 전력 손실을 최소화하면서 전력을 제어할 수 있기 때문에, 다양한 전력 변환 기술에서 널리 사용된다. 특히 메모리 반도체 구성요소로 주로 사용된다. BJT vs. MOSFET 1. BJT보다 소형화할 수 있다는 장점이 있다. 이는 직접회로 IC 제작시 유리하다. 2. MOSFET은 전계효과를 이용하기 때문에 BJT보다 반응 속도가 빠르다. 3. 에너지 손실을 최소화할 수 있다... 2023. 3. 16. 트랜지스터란? 트랜지스터 트랜지스터는 전류를 제어하여 전기 신호를 증폭하거나 스위칭하는 역할을 하는 반도체 소자입니다. 트랜지스터는 대부분 실리콘으로 만들어지며, NPN, PNP 양극성 구조로 이루어져있습니다. 트랜지스터는 작은 입력 전류에 대해 큰 전류의 출력을 생성할 수 있습니다. 이런 증폭 특성을 이용하여 고주파 전자 기기 등에서 사용됩니다. 또한 입력 신호가 특정 임계값을 초과하는 경우 전류를 차단하거나 전류를 통과시키는 스위칭 기능도 담당합니다. BJT 양극접합트랜지스터 BJT(Bipolar Junction Transistor) 양극접합트랜지스터는 가장 기본적인 트랜지스터 구조입니다. 높은 농도로 도핑된 이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)로 구성되어 있습니다. 전자를 공급하.. 2023. 3. 16. 이전 1 ··· 42 43 44 45 46 47 48 ··· 65 다음 반응형
