본문 바로가기
반응형

분류 전체보기277

산화막 용도 (산화공정) 산화막 용도 1. 소자간 격리 - LOCOS, STI 소자가 점점 작아짐에 따라 소자 간 전류가 누출되는 것을 막기 위해 소자 사이에 산화막을 넣어 누출을 방지한다. 과거에는 LOCOS(Local Oxidation of Silicon)를 많이 사용했지만 Bird's Beak 현상 발생으로 최근에는 STI(Shallow Trench Isolation) 방식을 많이 사용하고 있는 추세이다. LOCOS Bird's Beak 현상 : 열성장 속도 차이 때문에 노출된 부분의 가장자리는 조금 성장하고, 노출된 부분의 중심부는 많이 성장하여 새부리 모양의 불균형한 모습이 발생하는 현상을 말한다. 해당 이미지로 설명하자면 a) Silicon Nitride를 부착하기 위해 실리콘 웨이퍼에 Pad Oxide를 형성하고, .. 2023. 2. 28.
삼성전자 반도체 사업 삼성전자 삼성전자는 대한민국의 대표적인 전자 제품 제조업체 중 하나로, 글로벌 기준에서도 가장 큰 기업 중 하나이다. 1938년에 창립되어 다양한 제품을 생산하고 있다. 삼성전자는 다양한 분야에서 제품과 서비스를 제공한다. 가전제품 분야에서는 TV, 냉장고, 세탁기, 에어컨 등 다양한 제품을 출시하고 있으며, 스마트폰, 태블릿, 노트북 등의 모바일 제품 분야에서도 선두주자로 자리 잡고 있다. 또한, 반도체 제조 분야에서는 메모리칩과 시스템칩을 생산하고 있다. 삼성전자는 연간 매출과 순이익이 높은 기업 중 하나로, 이를 기반으로 다양한 분야에서 투자활동을 이어가고 있다. 연구 개발 분야에 많은 투자를 하고 있고, 인공지능, 빅데이터, 로봇 등 새로운 사업 분야에서 적극적으로 기술 개발과 투자를 이어가고 있.. 2023. 2. 28.
웨이퍼 제조 공정 웨이퍼 제조 공정 웨이퍼 제조공정은 요약하면 잉곳 제조 → 절단 → 연마로 나눌 수 있다. 1. 원료 선택(Material Selection) 잉곳을 생산하기 위해 순도 높은 다결정 실리콘을 선택한다. 2. 결정 성장(Crystal Growing) 약 1450℃의 온도에서 다결정 실리콘을 녹인 후 이를 단결정 잉곳으로 정제 및 성장시킨다. 단결정 실리콘 성장 방법 1) 초크랄스키법, 2) 플로팅 존법 다결정 실리콘 성장 방법 1) Casting 법, 2) Bridgman 법 2023.02.27 - [취업/반도체 이론 정리] - 실리콘 단결정 성장 방법 실리콘 단결정 성장 방법 초크랄스키법(Czochralski Techinique) 고주파 마이크로웨이브를 이용하여 용융로 속의 원료를 용융시키고 용융체의 표.. 2023. 2. 27.
실리콘 다결정 성장 방법 Casting 캐스팅법 용해시킨 실리콘액을 말 그대로 거푸집에 넣어 식히는 방법이다. Bridgman 브릿지맨법 코일을 이용하여 규소(Si)를 용해시킨 후 코일을 제거해 아래서부터 위로 냉각시키는 방법이다. 2023. 2. 27.
실리콘 단결정 성장 방법 초크랄스키법(Czochralski Techinique) 고주파 마이크로웨이브를 이용하여 용융로 속의 원료를 용융시키고 용융체의 표면에 종자 결정(Seed Crystal)을 위치시켜 결정핵이 형성되게 한 후 서서히 회전 및 상승시켜서 결정을 성장시키는 방법이다. 초크랄스키법은 용융된 원료가 결정핵을 형성하지 않으면서 종자결정을 용융체의 표면에 접촉하였을 때 종자결정을 녹이지 않도록 적절한 온도를 유지하는 것이 공법의 핵심이다. 이를 위해 컴퓨터의 정교한 컨트롤에 의해 온도를 적절하게 유지시키는 기술이 핵심이다. 현재 반도체 웨이퍼 생산 방식에서 가장 많이 사용되고 있는 공법이다. 플로팅 존법(Floating Zone Techinique) 규소(Si)와 같이 융점이 높고 용융상태에서 화학활성이 큰 물질에서는.. 2023. 2. 27.
반응형