포토 공정 기술(Multi Patterning, PSM, OPC, ARC)

Multi Patterning

Resolution 한계로 Litho-Etch 반복하여 패턴의 밀도를 높이는 방법이다.

Multi Patterning

LLE

장점: 공정 step, cost↓

단점: 2nd 패터닝 시 1st 패턴에 화학처리, 패턴 정렬도 bad​

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LELE

장점: 새로운 기법이 필요없음

단점: 패턴 정렬도 bad​

 

SADP

장점: 패턴 정렬도 good

단점: 공정 step, cost↑​

 

PSM(Phase Shift Mask, 위상변위마스크)

마스크를 통과할 때, 빛의 세기/위상 조절 소멸, 간섭 원리로 원치 않는 회절광 제거하는 기술이다. 마스크 제작단계에서 석영 일부를 식각하거나 크롬 면에 다른 물질을 덧대어 위상변위를 조절한다. 공정난이도와 가격이 높은 단점이 존재한다.

Phase Shift Mask 위상변위마스크

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OPC(Optical Proximity Correction, 광학근점효과 교정)

빛의 회절에 의해 마스크패턴과 다르게 전사되는 문제를 방지하기 위해 마스크 패턴 모양을 미리 변형시켜 원하는 패턴으로 형성하는 기술이다. 

 

Rule-based OPC: 일정한 규칙 먼저 집어넣고 거기에 맞게 패턴수정

Model-based OPC: 원하는 형상과 시뮬레이션 이미지 비교&대조하면서 원하는 패턴 나올 때까지 수정

Optical Proximity Correction 광학근점효과 교정

ARC(Anti-Reflective Coating, 반사방지코팅)

포토공정 시 웨이퍼에서 발생하는 반사광을 최소화하는 물질을 PR 상부 or 하부에 얇게 도포한다. 웨이퍼에 조사된 빛이 반사될 때 반사광을 최소화하여 정상파 효과를 줄이는 기술이다. 해상도 개선, 난반사에 의한 footing, undercut 방지, overdevelop 방지의 장점이 있다.

Anti-Reflective Coating 반사방지코팅