SRAM(Static Random-Access Memory)
- 플립플롭 방식의 메모리 장치를 가지고 있는 RAM
- 6개의 transistor로 구성(= 2 transistors + 2 invertors)
- 플립플롭 방식으로 인해 DRAM처럼 refresh를 계속 해줄 필요가 없다.
SRAM 작동방식 (SRAM Operation)
1. Hold mode (대기 동작)
" WL = 0(Low) 이므로 Access tr이 off 상태가 되어 인버터 래치 회로에서 현재 값이 유지 됨 "
이러한 정적인 특성에 따라 SRAM의 S는 static을 의미한다.
2. Read (읽기 동작)
" SA가 BL간의 전압차를 증폭시켜 데이터를 읽음 "
Precharge BL to Vdd & Set WL to 1(High).
Access internal node with BL & BLb.
Diff.voltage at BL & BLb is amplified by sense amplifier.
Output is either Vdd or GND.
Return to hold mode.
※ SRAM의 bit cell은 누설 전류와 사이즈 측면에서 매우 작게 설계되기 때문에 그 전압차를 판별하기 힘들다. 따라서 BL과 BLb를 Vdd로 precharge하고 cell data에 의해 발생하는 전압차를 sense amplifier로 증폭시킨다.
3. Write (쓰기 동작)
" WL = 1(High) 인 상태에서 쓸 데이터를 BL에 주면 데이터가 써짐 "
Set WL to 1(High).
Write data by setting BL & BLb.
Return to hold mode.
※ BL과 BLb에는 각각 반대되는 데이터를 주어야한다.
※ Hold mode로 돌아가 WL = 0이 되면 access tr이 꺼지면서 새로운 데이터가 들어가지 않아 내부 래치 회로에서 현재값을 유지하게 된다. 이에 따라 DRAM처럼 주기적으로 refresh를 해줄 필요가 없다.
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