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취업/반도체 이론 정리

포토 공정 기술(Multi Patterning, PSM, OPC, ARC)

by 보보쓸모 2023. 6. 3.
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Multi Patterning

Resolution 한계로 Litho-Etch 반복하여 패턴의 밀도를 높이는 방법이다.

Multi Patterning

LLE

장점: 공정 step, cost

단점: 2nd 패터닝1st 패턴 화학처리, 패턴 정렬도 bad

LELE

장점: 새로운 기법이 필요없음

단점: 패턴 정렬도 bad

 

SADP

장점: 패턴 정렬도 good

단점: 공정 step, cost

 

PSM(Phase Shift Mask, 위상변위마스크)

마스크를 통과할 때, 빛의 세기/위상 조절 소멸, 간섭 원리로 원치 않는 회절광 제거하는 기술이다. 마스크 제작단계에서 석영 일부를 식각하거나 크롬 면에 다른 물질을 덧대어 위상변위를 조절한다. 공정난이도와 가격이 높은 단점이 존재한다.

Phase Shift Mask 위상변위마스크

OPC(Optical Proximity Correction, 광학근점효과 교정)

빛의 회절에 의해 마스크패턴과 다르게 전사되는 문제를 방지하기 위해 마스크 패턴 모양을 미리 변형시켜 원하는 패턴으로 형성하는 기술이다. 

 

Rule-based OPC: 일정한 규칙 먼저 집어넣고 거기에 맞게 패턴수정

Model-based OPC: 원하는 형상과 시뮬레이션 이미지 비교&대조하면서 원하는 패턴 나올 때까지 수정

Optical Proximity Correction 광학근점효과 교정

ARC(Anti-Reflective Coating, 반사방지코팅)

포토공정 시 웨이퍼에서 발생하는 반사광을 최소화하는 물질을 PR 상부 or 하부에 얇게 도포한다. 웨이퍼에 조사된 빛이 반사될 때 반사광을 최소화하여 정상파 효과를 줄이는 기술이다. 해상도 개선, 난반사에 의한 footing, undercut 방지, overdevelop 방지의 장점이 있다.

Anti-Reflective Coating 반사방지코팅

 

 

 

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